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Samsung MZ-V9P1T0GW SSD 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe M.2 2280, Lectura 7450 MB/s, Escritura 6900 MB/s

Samsung MZ-V9P1T0GW SSD 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe M.2 2280, Lectura 7450 MB/s, Escritura 6900 MB/s

Samsung

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Descripción

Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
  • Núm. artículo: MZ-V9P1T0GW
  • Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Factor de forma de disco SSD: M.2
  • SSD: 1 TB
  • Interfaz: PCI Express 4.0
  • Tipo de memoria: V-NAND MLC
  • NVMe: Si
  • Componente para: PC
  • Encriptación de hardware: Si
  • Velocidad de lectura: 7450 MB/s
  • Velocidad de escritura: 6900 MB/s
  • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
  • Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
  • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
  • Versión NVMe: 2.0
  • Soporte S.M.A.R.T.: Si
  • Soporte TRIM: Si
  • Función DevSleep: Si
  • Ancho: 80 mm
  • Profundidad: 8,2 mm
  • Altura: 24,3 mm
  • Peso: 28 g
  • Consumo de energía (promedio): 5,4 W
  • Voltaje de operación: 3,3 V
  • Consumo de energía (max): 7,8 W
  • Intervalo de temperatura operativa: 0 ~ 70 °C
  • Golpes en funcionamiento: 1500 G

EAN: 8806094594645

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