Ripjaws S5 es una serie de memorias DRAM DDR5 de rendimiento hechas con CI de memoria cribados a mano que pasaron las rigurosas pruebas de validación de G.SKILL. La memoria de la serie
Ripjaws S5 logra un equilibrio ideal entre rendimiento, compatibilidad y estabilidad.

Rendimiento de memoria de alta velocidad con plataformas Intel

G.SKILL se dedica a desarrollar memoria de alto rendimiento en cada nueva generación de plataforma Intel. Desarrollado en la plataforma Intel Core, Ripjaws S5 aprovecha el potencial de velocidad de
DDR5 para brindar un nuevo nivel de rendimiento a los overclockers y entusiastas de PC de todo el mundo.

Experimenta la evolución de la velocidad

Construida sobre décadas de experiencia en el desarrollo de memoria de alto rendimiento, la memoria DRAM DDR5 de la serie Ripjaws S5 está diseñada con circuitos integrados de pantalla manual y
diseñada para un rendimiento de alta velocidad.

Súper velocidad con estilo

La serie Ripjaws S5 de próxima generación adopta un diseño minimalista inspirado en las clásicas rayas y parrillas de carreras, disponible en negro mate o blanco mate para combinar con una amplia
variedad de temas de construcción de PC.

Diseño compacto de bajo perfil

Con una altura de perfil bajo de solo 33 mm, la memoria Ripjaws S5 es una opción ideal para construcciones de PC compactas o sistemas con grandes enfriadores de CPU.

Diseñado para una experiencia DDR5 excepcional

Todos y cada uno de los kits de memoria Ripjaws S5 se prueban bajo el riguroso proceso de validación de G.SKILL para garantizar una calidad excepcional.

General
Tipo del artículo: Gaming
Marca: G.SKILL
Garantía: 36
Part Number: F5-5200J3636C16GX2-RS5W
Categorías: MEMORIAS RAM
Reacondicionado: No
Reposición - Etiqueta: No
Peso Volumetrico 0.17 Kg.
Memoria
Tipo de memoria interna: DDR5
Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
Frecuencia: 5200 MHz
Memory layout (modules x size): 2 x 16 GB
Latencia CAS: CL36
Soporte de canales de memoria: Dual
Detalles técnicos
Número de pines: 288
Control de energía
Voltaje de memoria: 1.2 V