KVR32N22S6/4 de ValueRAM

Un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM síncrona) de 512M x 64 bits (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16 bits. El SPD está programado con el estándar JEDEC de latencia DDR4-3200 con tiempos de 22-22-22 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pines utiliza contactos de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

• VDD = 1.2V Típico
• VDDQ = 1.2V Típico
• VPP = 2.5V Típico
• VDDSPD = 2.2V a 3.6V
• Terminación en el chip nominal y dinámica (ODT) para datos, estrobos y señales de máscara
• Auto-refresco automático de bajo consumo (LPASR)
• Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en el chip
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia serie I² a bordo (SPD)
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Bus de comando y dirección terminado
• PCB: Altura 1.23” (31.25mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos

Especificaciones

Memoria

Capacidad: 4 GB

Tipo: DDR4

Formato: DIMM de 288 pines

Velocidad: 3200 MHz

Latencia: CL22

Voltaje: 1.2 V

Voltaje VPP: 2.5 V

ECC: No

Buffer: Unbuffered

Configuración de chips: 512M x 64

Estándar: JEDEC

Acabado: Contactos chapados en oro

Rendimiento

Tiempo de ciclo de fila: 45.75 ns

Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns

Tiempo activo en fila: 32 ns

Condiciones de funcionamiento

Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 85 °C

Temperatura de almacenamiento: -55 °C a 100 °C

• Núm. artículo: KVR32N22S6/4