SSD Interno 990 EVO Plus

• Velocidad de lectura secuencial hasta 7,150MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.
• Mejor eficiencia energética, menor consumo en ordenadores portátiles.
• Rendimiento mejorado para uso personal, almacenaje de fotos, vídeos y gaming, y para uso profesional.

Rendimiento

Hasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% más rápido que el modelo anterior.

Eficiencia energética

Eficiencia energética mejorada en un 73% para obtener más MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control térmico.

Versatilidad

Hasta 4 TB de capacidad ampliada y rápido.

Velocidad espectacular cada día

Realiza tus tareas más rápido. La 990 EVO Plus con la última NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantánea.

Potencia para todo el día

Aprovecha toda la potencia de tu unidad con la función Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los gráficos pesados con una región TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.

Más espacio y velocidad

Aprovecha toda la potencia de tu unidad con la función Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los gráficos pesados con una región TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.

Software Samsung Magician

Haz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fácil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

Haciendo realidad las innovaciones

Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el próximo gran impulso de la innovación.

Especificaciones

Almacenamiento

Capacidad: 4 TB

Formato: M.2 2280

Interfaz: PCI Express 4.0 x4 / PCI Express 5.0 x2 NVMe 2.0

Controlador: Controlador interno Samsung

Tipo de memoria: V-NAND TLC

Caché: HMB (Host Memory Buffer)

Velocidad de lectura: Hasta 7250 MB/s

Velocidad de escritura: Hasta 6300 MB/s

IOPS lectura 4K: Hasta 1050000

IOPS escritura 4K: Hasta 1400000

Tecnologías: TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, cifrado AES de 256 bits, TCG Opal, IEEE1667

Compatibilidad: PCs cliente

Compatibilidad suspensión: Compatible

WWN: No compatible

MTBF: 1500000 horas

Consumo energético

Consumo en lectura: 5.5 W

Consumo en escritura: 4.8 W

Consumo en reposo: 60 mW

Consumo en suspensión: 5 mW

Voltaje: 3.3 V ± 5%

Condiciones de funcionamiento

Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 70 °C

Resistencia a golpes: 1500 G

Diseño

Dimensiones: Hasta 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Peso: Hasta 9 g

Software

Software de gestión: Samsung Magician

• Núm. artículo: MZ-V9S4T0BW