Samsung MZ-VAP8T0, 8 TB, M.2, 14800 MB/s

Características
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
SDD, capacidad: 8 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 5.0
Feature: NVMe
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC/Consola de videojuegos
Feature: Encriptación de hardware
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura: 14800 MB/s
Velocidad de escritura: 13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Feature: Función DevSleep
Feature: Soporte S.M.A.R.T.
Feature: Soporte TRIM
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo de energía (lectura): 10,5 W
Consumo de energía (escritura): 8,8 W
Consumo de energía (espera): 0,009 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 8,6 mW
Peso y dimensiones
Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 3,88 mm
Altura: 80,2 mm
Empaquetado
Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
Periodo de garantía: 5 año(s)