Descripción
Samsung M425R1GB4BB0-CQK, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR5, 4800 MHz, 262-pin SO-DIMM
CaracterísticasTipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS: 40
Memoria interna: 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna: DDR5
Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
Componente para: Portátil
Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
Característica: ECC
Voltaje de memoria: 1.1 V
Configuración de módulos: 1024M x 16
EAN: 5059902031181
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